| Capacidad (PF) | el 1750±10% |
|---|---|
| Función | eficacia alta |
| nombre | Elemento de cerámica piezoeléctrico |
| estándar | CE, ISO9001, ROSH |
| Detalles de empaquetado | caja de cartón |
| Diamater | Sφ10 |
|---|---|
| Diámetro de la abertura | φ3 |
| Espesor | 0.8 |
| ventaja | buena construcción, alta amplitud |
| Aplicaciones | transductor ultrasónico del sensor |
| Nombre del producto | Materiales de cerámica piezoeléctricos |
|---|---|
| Forma | De forma anular |
| Δ fuerte del ationTg de Dissip del campo (400v) | el ≤1.0% |
| Impedancia ZM (Ω) del nance de Reso | ≤15 |
| Factor de calidad Qm | ≥800 |
| Nombre del producto | Materiales de cerámica piezoeléctricos |
|---|---|
| Forma | De forma anular |
| Campo débil Dissipatio Tgδ (12v) | el ≤0.5% |
| Δ fuerte del ationTg de Dissip del campo (400v) | el ≤1.0% |
| Impedancia ZM (Ω) del nance de Reso | ≤15 |
| Nombre del producto | Materiales de cerámica piezoeléctricos |
|---|---|
| Forma | De forma anular |
| Campo débil Dissipatio Tgδ (12v) | el ≤0.5% |
| Δ fuerte del ationTg de Dissip del campo (400v) | el ≤1.0% |
| Impedancia ZM (Ω) del nance de Reso | ≤15 |
| Detalles de empaquetado | embalaje normal |
|---|---|
| Tiempo de entrega | 30 DÍAS |
| Capacidad de la fuente | mes de 1000PCS +per |
| Lugar de origen | CN |
| Nombre de la marca | CCWY |
| Nombre del producto | Materiales de cerámica piezoeléctricos |
|---|---|
| Forma | De forma anular |
| Campo débil Dissipatio Tgδ (12v) | el ≤0.5% |
| Δ fuerte del ationTg de Dissip del campo (400v) | el ≤1.0% |
| Impedancia ZM (Ω) del nance de Reso | ≤15 |
| Detalles de empaquetado | embalaje normal |
|---|---|
| Tiempo de entrega | 30 DÍAS |
| Capacidad de la fuente | mes de 1000PCS +per |
| Lugar de origen | CN |
| Nombre de la marca | CCWY |
| Detalles de empaquetado | embalaje normal |
|---|---|
| Tiempo de entrega | 30 DÍAS |
| Capacidad de la fuente | mes de 1000PCS +per |
| Lugar de origen | CN |
| Nombre de la marca | CCWY |
| Nombre del producto | Materiales de cerámica piezoeléctricos |
|---|---|
| Forma | De forma anular |
| Campo débil Dissipatio Tgδ (12v) | el ≤0.5% |
| Δ fuerte del ationTg de Dissip del campo (400v) | el ≤1.0% |
| Impedancia ZM (Ω) del nance de Reso | ≤15 |
