| Nombre del producto | Elemento de cerámica piezoeléctrico |
|---|---|
| Tamaño | 15x6x3 P8 |
| Forma | De forma anular |
| Factor de calidad Qm | ≥800 |
| Kr del módulo del acoplamiento (%) | ≥45 |
| Color | blanco |
|---|---|
| nombre | Materiales de cerámica piezoeléctricos |
| ventaja | Alto resistente a la corrosión |
| ventaja 2 | Vida larga del trabajo |
| Detalles de empaquetado | embalaje normal |
| Detalles de empaquetado | caja de cartón |
|---|---|
| Tiempo de entrega | EN LA ACCIÓN |
| Condiciones de pago | T/T |
| Capacidad de la fuente | 20.000.000 POR MES |
| Lugar de origen | CN |
| Detalles de empaquetado | caja de cartón |
|---|---|
| Tiempo de entrega | EN LA ACCIÓN |
| Condiciones de pago | T/T |
| Capacidad de la fuente | 20.000.000 POR MES |
| Lugar de origen | CN |
| nombre | discos de cerámica piezoeléctricos |
|---|---|
| Aplicación | Sensor ultrasónico de la vibración |
| Certificación | CE, ISO9001, ROSH |
| Detalles de empaquetado | caja de cartón |
| Tiempo de entrega | EN LA ACCIÓN |
| Nombre del producto | discos de cerámica piezoeléctricos |
|---|---|
| Características | Alto resistente a la corrosión |
| Utilice | asistencia médica |
| Detalles de empaquetado | embalaje normal |
| Tiempo de entrega | 30 DÍAS |
| Detalles de empaquetado | embalaje de la exportación |
|---|---|
| Tiempo de entrega | 3-7 días |
| Condiciones de pago | T / T, Western Union, PayPal |
| Capacidad de la fuente | 1-50000 |
| Lugar de origen | China |
| Nombre del producto | Materiales de cerámica piezoeléctricos |
|---|---|
| Forma | De forma anular |
| Campo débil Dissipatio Tgδ (12v) | el ≤0.5% |
| Δ fuerte del ationTg de Dissip del campo (400v) | el ≤1.0% |
| Impedancia ZM (Ω) del nance de Reso | ≤15 |
| Diamater | Sφ10 |
|---|---|
| Diámetro de la abertura | φ3 |
| Espesor | 0.8 |
| ventaja | buena construcción, alta amplitud |
| Aplicaciones | transductor ultrasónico del sensor |
| Nombre del producto | discos de cerámica piezoeléctricos |
|---|---|
| Dimensión (milímetros) | Φ10xΦ5x2 |
| Capacidad C (PF) | el 240±10% |
| Campo débil Dissipatio Tgδ (12v) | el ≤0.5% |
| Δ fuerte del ationTg de Dissip del campo (400v) | el ≤1.0% |